По данным компании, Intel (INTC) начала применять оборудование после серии испытаний, стартовавших в 2024 году. На данном этапе технология используется для изготовления отдельных слоев микросхем, что позволит инженерам Intel и ASML собрать необходимые данные и оптимизировать производственный процесс перед более широким внедрением.
Системы High NA EUV считаются следующим этапом развития полупроводникового производства. Они обеспечивают более высокую точность при нанесении схем на кремниевые пластины, что необходимо для создания более компактных и производительных чипов будущих поколений. В отрасли продолжаются дискуссии о том, когда массовое использование этой технологии станет экономически оправданным. Стоимость одной установки High NA EUV оценивается примерно в 400 млн долларов, что почти вдвое превышает цену стандартных систем экстремальной ультрафиолетовой литографии. Кроме того, интеграция нового оборудования требует решения сложных технологических задач.
Для производства Panther Lake Intel использует собственный техпроцесс 18A, который уже предусматривает применение стандартных EUV-машин ASML (ASML). Новые установки High NA пока задействованы лишь на отдельных этапах производства. Первую систему High NA EUV Intel получила в 2024 году. Она была установлена в исследовательском центре компании в Хиллсборо (штат Орегон, США), где ведется разработка перспективных производственных технологий и подготовка к их промышленному внедрению. В самой Intel информацию о расширении использования оборудования ASML комментировать не стали.
