Компания рассчитывает существенно расширить присутствие в США на фоне стремительного роста спроса на высокопроизводительные чипы памяти, который поддерживается развитием инфраструктуры искусственного интеллекта. Генеральный директор SK Hynix (000660) Квак Но Чжун заявил, что дефицит памяти, вероятно, сохранится вплоть до конца 2030 года. По его словам, компания пока не видит убедительных признаков спада на рынке и ожидает, что возможное замедление спроса будет умеренным, а не резким. В перспективе производственные мощности предприятия в Индиане могут достичь нескольких сотен тысяч пластин в год.
Инвестиции SK Hynix в американский проект превысят 4 миллиарда долларов. Компания стремится приблизить производство к крупнейшим заказчикам, среди которых Nvidia (NVDA), Microsoft (MSFT) и Alphabet Google (GOOGL), поскольку растущие расходы на развитие ИИ стимулируют спрос на память с высокой пропускной способностью - HBM. К 2030 году SK Hynix рассчитывает превратить Индиану в ключевую производственную площадку HBM в США. Уже во второй половине 2028 года в исследовательском парке Purdue в Уэст-Лафайетте планируется открыть чистые помещения. Там разместятся линия по производству передовых модулей памяти и исследовательский центр, специализирующийся на полупроводниковых технологиях для искусственного интеллекта.
Американские мощности будут тесно связаны с производством SK Hynix в Южной Корее. Передовые полупроводниковые пластины, изготовленные в Корее, будут отправляться в Индиану для упаковки и тестирования, после чего готовая продукция поступит американским клиентам. Такой подход позволит компании создать локальную цепочку поставок памяти и одновременно сократить зависимость от зарубежной инфраструктуры.
SK Hynix также пока не отказалась от планов провести первичное размещение акций своего подразделения по производству NAND-памяти Solidigm в США. Квак сообщил, что вопрос остается на стадии обсуждения и окончательное решение еще не принято. HBM представляет собой специализированную память, в которой несколько чипов располагаются вертикально друг над другом. Такая конструкция обеспечивает высокую скорость передачи данных при относительно низком энергопотреблении, что особенно важно для мощных систем искусственного интеллекта.
В отличие от традиционной памяти для хранения данных, HBM тесно интегрируется с ИИ-процессорами. Высокие технологические требования создают серьезные барьеры для новых конкурентов и позволяют ведущим производителям получать более высокую маржу. Именно поэтому HBM стал одним из главных источников роста для производителей памяти после недавнего спада в полупроводниковой отрасли.
